Кафедрамиз профессор - ўқитувчилари томонидан давлат дастури доирасидаги 2 та лойиҳа бўйича жами 100 000 000 сўм ҳажмдаги илмий-тадқиқот ишлари бажарилмоқда. Ундан ташқари RENES дастури доирасида “Қайта тикланувчи энергия манбалари ва барқарор атроф муҳит физикаси” мутахассислиги бўйича магистратура очилди ва лаборатория базаси билан таъминланди.

Иккинчидан ОТФ-Ф2-65 “А3В5” типидаги монокристалларнинг сиртидан паст энергияли ионларнинг сочилиш қонуниятларини тадқиқ қилиш” мавзусидаги фундаменталь грант бўйича лойихалар таййорланмоқда.

Грантлар доирасида таййорланган илмий мақолалар ва тезислар

1. Kutliev U., Karimov M., Sadullaeva B., Otaboev M. Investigation of the ion scattering process from the A³B⁵ semiconductors by the computer simulation method // COMPUSOFT, An International Journal of Advanced Computer & Engineering Technology. April-2018 (Volume-VII, Issue-IV). - P.2749-1751.

2. Кутлиев У.О., Курбанов М.К., Каримов М.К., Тангриберганов И.У. Отабоева К. Исследование малоугловое рассеяния ионов с поверхностью InP(001) // Научно–технический  журнал ФерПи. 2018. Том 22 .№ 2.- C.19-24.

3. Karimov M. K., Tangriberganov I. U., Qurbanov M. K., Kutliev U. O., Otaboev  M. U. Angular and energy distributions of low-energy argon ions at the scattering from A^IIIB^V semiconductor surface // Actual problems of moderen science, education and training in the region. 2018. II. P.5-16.

4. M Khalilloev, A Atamuratov, A Yusupov  Simulation of DIBL effect and sub-threshold swing in low power junctionless MOSFETs with different geometries // International Journal of Applied Science - Research and Review, 2018, Volume: 5 DOI: 10.21767/2394-9988-C1-003

5. A. E Atamuratov, Z. A Atamuratova, A Yusupov New fast method for reading charge bit stored in MNOSFET // International Journal of Applied Science - Research and Review, 2018, Volume: 5  DOI: 10.21767/2394-9988-C1-003

6.  A. Abdikarimov1, Z A Atamuratova1 and A Yusupov2 Simulation study of short channel effects in low power FinFETs with different body shape and geometries // International Journal of Applied Science - Research and Review, 2018, Volume: 5  DOI: 10.21767/2394-9988-C1-003

7. Халиллоев М.M., Атамуратов А.Э. Зависимость DIBL эффекта от формы канального слоя в безпереходном МОП- транзисторе // Яримўтказгичлар физикасининг ва қайта тикланувчи энергия манбаларини ривожлантиришнинг замонавий муаммолари мавзусида  Республика илмий-амалий анжумани.- Андижон. 20-21 апрель, 2018. - б.91-93.

8. М.М. Халиллоев, А.Э. Абдикаримов, З. Атамуратова, Б. Жабборова, А.Э. Атамуратов. Короткоканальные эффекты в безпереходном МОП-транзисторе с различным уровнем легирования и формой базы // Республиканской научно-практической конференции участием зарубежных ученых «Инновационные технологии в науке и образовании». – Нукус. 20-21 ноября, 2018. – С. 106-107.

9. Халиллоев М.М.,  Атамуратов А.Э. Влияние формы канального слоя в безпереходном МОП-транзисторе на крутизну подпороговой  переходной характеристики // Муҳаммад ал-Хоразмий издошлари мавзусидаги Республика илмий-техникавий анжумани – Урганч. 27-28 апрель, 2018. – б.68-69

10. Халиллоев М.М.,  Атамуратов А.Э. Зависимость крутизны передаточной характеристики от боковых линейных размеров затвора и скрытого оксидного слоя в беспереходном МОП-транзисторе // Физика фанининг ривожида истеъдодли ёшларнинг ўрни РИАК-XI-2018 – Тошкент. 11-12 май, 2018 – б.25-26

11. Халиллоев М.М., Жаббарова Б.О., Атамуратов А.Э. Влияние формы канального слоя и бокового расширения затвора на пороговое напряжение в безпереходном МОП-транзисторе // Материалы международной конференции «Oптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковых микро- и наноструктурах». - Фергана. 25-26 мая, 2018.- C. 295-296

12. Матякубов Н.Ш., Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Собиров  Р. Изучение характерных траектории рассеяных ионов с поверхностью InP(001) при бомбардировке ионами Ar+ и Ne+ // Яримўтказгичлар физикасининг ва қайта тикланувчи энергия манбаларини ривожлантиришнинг замонавий муаммолари мавзусида  Республика илмий-амалий анжумани.- Андижон. 20-21 апрель, 2018. - Б.36.

13. Матякубов Н.Ш., Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Садуллаева Б. Закономерности рассеяния ионов с поверхностью InP(001) при малых углах скольжениях // Яримўтказгичлар физикасининг ва қайта тикланувчи энергия манбаларини ривожлантиришнинг замонавий муаммолари мавзусида  Республика илмий-амалий анжумани.- Андижон. 20-21 апрель, 2018.- Б.39.

14.  Каримов М.К., Кутлиев У.О., Oтабекова У.Э., Отабoева К.У. Энергетические распределения рассеянных ионов с поверхностью InP(001) // Седьмая Международная конференция по Физической Электронике IPEC-7. -Ташкент. 18-19 мая, 2018.- C.9.

15. Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Отабoева К.У. Малоугловое рассеяния ионов с поверхностью InP(001) // Седьмая Международная конференция по Физической Электронике IPEC-7. - Ташкент. 18-19 мая, 2018. - C.14.

16. Каримов М.К., Матякубов Н.Ш., Отабоев М.У., Кутлиев  У.О. Исследования малоугловое рассеяния ионов с поверхностью InP(001)<110> и <ī10> // Материалы международной конференции «Oптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковых микро- и наноструктурах». - Фергана. 25-26 мая, 2018.- C. 208.

17. Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Отабоева К. Рассеяния ионов с дефектной поверхностью InP(001) при малых углах скольжениях // Яримўтказгичлар физикасининг ҳозирги замон муаммолари республика илмий анжумани.- Ташкент. 26-27 октябрь, 2018. – Б.58-59.

18. Kutliev U.O., Karimov M.K., Otaboeva K.U., Otaboev M.U. Investigation of defect structures of A^IIIB^V semiconductors by the ion scattering spectroscopy // Республиканской научно-практической конференции участием зарубежных ученых «Инновационные технологии в науке и образовании». – Нукус. 20-21 ноября, 2018. – С. 48.

19. Urganch davlat universiteti dotsenti Komiljon Yakubov rahbarligida universitetning Fizika kafedrasi tadqiqotchilari Davron Qurbonov, Rustam Bazarbayev, magistrantlar va talabalar bilan birgalikda quyosh panellarini yig‘ish jarayonlari yo‘lga qo‘yildi. Laboratoriyada yig‘ilgan quyosh panellarining xususiyatlarini turli iqlim sharoitlarida tekshirish maqsadida laboratoriya qurilmasi yaratildi. Qurilma yordamida shamol tezligi, harorat, namlik yoritilganliklarning quyosh panellariga ta’sirini o‘rganish mumkin. Ushbu qurilma quyosh panellari ishlashining optimal sharoitlarini aniqlashda yordam beradi. Mazkur qurilma shu paytgacha bo‘lgan analoglarini kamchiliklarini hisobga olib bartaraf qilgan holda yaratildi. Qurilma yordamida quyosh elementlarida ishlatiladigan gidrofob materiallar xususiyatini va chang ta’sirini o'rganish imkoniyati mavjud.