The teaching staff of the Department carries out research work on 2 projects within the framework of the state program in the amount of 100 000 000 soums. In addition, within the framework of the RENES program, a master's degree in “renewable energy sources and sustainable environmental physics” was opened and equipped with a laboratory base.
Secondly, projects are being prepared for a fundamental grant on the topic “Study of the laws of spraying low-energy ions from the surface of single crystals such as OTF-F2-65” A3B5”.
Scientific articles and abstracts prepared within the framework of grants
1. Kutliev U., Karimov M., Sadullaeva B., Otaboev M. Investigation of the ion scattering process from the A3B5 semiconductors by the computer simulation method // COMPUSOFT, An International Journal of Advanced Computer & Engineering Technology. April-2018 (Volume-VII, Issue-IV). - P.2749-1751.
2. Кутлиев У.О., Курбанов М.К., Каримов М.К., Тангриберганов И.У. Отабоева К. Исследование малоугловое рассеяния ионов с поверхностью InP(001) // Научно–технический журнал ФерПи. 2018. Том 22 .№ 2.- C.19-24.
3. Karimov M. K., Tangriberganov I. U., Qurbanov M. K., Kutliev U. O., Otaboev M. U. Angular and energy distributions of low-energy argon ions at the scattering from AIIIBV semiconductor surface // Actual problems of moderen science, education and training in the region. 2018. II. P.5-16.
4. M Khalilloev, A Atamuratov, A Yusupov Simulation of DIBL effect and sub-threshold swing in low power junctionless MOSFETs with different geometries // International Journal of Applied Science - Research and Review, 2018, Volume: 5 DOI: 10.21767/2394-9988-C1-003
5. A. E Atamuratov, Z. A Atamuratova, A Yusupov New fast method for reading charge bit stored in MNOSFET // International Journal of Applied Science - Research and Review, 2018, Volume: 5 DOI: 10.21767/2394-9988-C1-003
6. A. Abdikarimov1, Z A Atamuratova1 and A Yusupov2 Simulation study of short channel effects in low power FinFETs with different body shape and geometries // International Journal of Applied Science - Research and Review, 2018, Volume: 5 DOI: 10.21767/2394-9988-C1-003
7. Халиллоев М.M., Атамуратов А.Э. Зависимость DIBL эффекта от формы канального слоя в безпереходном МОП- транзисторе // Яримўтказгичлар физикасининг ва қайта тикланувчи энергия манбаларини ривожлантиришнинг замонавий муаммолари мавзусида Республика илмий-амалий анжумани.- Андижон. 20-21 апрель, 2018. - б.91-93.
8. М.М. Халиллоев, А.Э. Абдикаримов, З. Атамуратова, Б. Жабборова, А.Э. Атамуратов. Короткоканальные эффекты в безпереходном МОП-транзисторе с различным уровнем легирования и формой базы // Республиканской научно-практической конференции участием зарубежных ученых «Инновационные технологии в науке и образовании». – Нукус. 20-21 ноября, 2018. – С. 106-107.
9. Халиллоев М.М., Атамуратов А.Э. Влияние формы канального слоя в безпереходном МОП-транзисторе на крутизну подпороговой переходной характеристики // Муҳаммад ал-Хоразмий издошлари мавзусидаги Республика илмий-техникавий анжумани – Урганч. 27-28 апрель, 2018. – б.68-69
10. Халиллоев М.М., Атамуратов А.Э. Зависимость крутизны передаточной характеристики от боковых линейных размеров затвора и скрытого оксидного слоя в беспереходном МОП-транзисторе // Физика фанининг ривожида истеъдодли ёшларнинг ўрни РИАК-XI-2018 – Тошкент. 11-12 май, 2018 – б.25-26
11. Халиллоев М.М., Жаббарова Б.О., Атамуратов А.Э. Влияние формы канального слоя и бокового расширения затвора на пороговое напряжение в безпереходном МОП-транзисторе // Материалы международной конференции «Oптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковых микро- и наноструктурах». - Фергана. 25-26 мая, 2018.- C. 295-296
12. Матякубов Н.Ш., Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Собиров Р. Изучение характерных траектории рассеяных ионов с поверхностью InP(001) при бомбардировке ионами Ar+ и Ne+ // Яримўтказгичлар физикасининг ва қайта тикланувчи энергия манбаларини ривожлантиришнинг замонавий муаммолари мавзусида Республика илмий-амалий анжумани.- Андижон. 20-21 апрель, 2018. - Б.36.
13. Матякубов Н.Ш., Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Садуллаева Б. Закономерности рассеяния ионов с поверхностью InP(001) при малых углах скольжениях // Яримўтказгичлар физикасининг ва қайта тикланувчи энергия манбаларини ривожлантиришнинг замонавий муаммолари мавзусида Республика илмий-амалий анжумани.- Андижон. 20-21 апрель, 2018.- Б.39.
14. Каримов М.К., Кутлиев У.О., Oтабекова У.Э., Отабoева К.У. Энергетические распределения рассеянных ионов с поверхностью InP(001) // Седьмая Международная конференция по Физической Электронике IPEC-7. -Ташкент. 18-19 мая, 2018.- C.9.
15. Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Отабoева К.У. Малоугловое рассеяния ионов с поверхностью InP(001) // Седьмая Международная конференция по Физической Электронике IPEC-7. - Ташкент. 18-19 мая, 2018. - C.14.
16. Каримов М.К., Матякубов Н.Ш., Отабоев М.У., Кутлиев У.О. Исследования малоугловое рассеяния ионов с поверхностью InP(001)<110> и <ī10> // Материалы международной конференции «Oптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковых микро- и наноструктурах». - Фергана. 25-26 мая, 2018.- C. 208.
17. Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Отабоева К. Рассеяния ионов с дефектной поверхностью InP(001) при малых углах скольжениях // Яримўтказгичлар физикасининг ҳозирги замон муаммолари республика илмий анжумани.- Ташкент. 26-27 октябрь, 2018. – Б.58-59.
18. Kutliev U.O., Karimov M.K., Otaboeva K.U., Otaboev M.U. Investigation of defect structures of AIIIBV semiconductors by the ion scattering spectroscopy // Республиканской научно-практической конференции участием зарубежных ученых «Инновационные технологии в науке и образовании». – Нукус. 20-21 ноября, 2018. – С. 48.
19. Under the leadership of Associate Professor of Urgench State University K. Yakubov, together with the researchers of the Department of Physics D. Kurbanov, R. Bazarbayev, masters and students, the process of assembling solar panels was organized. A laboratory device has been developed to test the properties of solar panels assembled in the laboratory in various climatic conditions. The device can be used to study the effect of wind speed, temperature and humidity on solar panels. This device helps determine the optimal operating conditions for solar panels. This device is designed to overcome the shortcomings of its predecessors. The device can be used to study the properties of hydrophobic materials used in solar cells and the effect of dust.
The teaching staff of the Department carries out research work on 2 projects within the framework of the state program in the amount of 100 000 000 soums. In addition, within the framework of the RENES program, a master's degree in “renewable energy sources and sustainable environmental physics” was opened and equipped with a laboratory base.
Secondly, projects are being prepared for a fundamental grant on the topic “Study of the laws of spraying low-energy ions from the surface of single crystals such as OTF-F2-65” A3B5”.
Scientific articles and abstracts prepared within the framework of grants
1. Kutliev U., Karimov M., Sadullaeva B., Otaboev M. Investigation of the ion scattering process from the A3B5 semiconductors by the computer simulation method // COMPUSOFT, An International Journal of Advanced Computer & Engineering Technology. April-2018 (Volume-VII, Issue-IV). - P.2749-1751.
2. Кутлиев У.О., Курбанов М.К., Каримов М.К., Тангриберганов И.У. Отабоева К. Исследование малоугловое рассеяния ионов с поверхностью InP(001) // Научно–технический журнал ФерПи. 2018. Том 22 .№ 2.- C.19-24.
3. Karimov M. K., Tangriberganov I. U., Qurbanov M. K., Kutliev U. O., Otaboev M. U. Angular and energy distributions of low-energy argon ions at the scattering from AIIIBV semiconductor surface // Actual problems of moderen science, education and training in the region. 2018. II. P.5-16.
4. M Khalilloev, A Atamuratov, A Yusupov Simulation of DIBL effect and sub-threshold swing in low power junctionless MOSFETs with different geometries // International Journal of Applied Science - Research and Review, 2018, Volume: 5 DOI: 10.21767/2394-9988-C1-003
5. A. E Atamuratov, Z. A Atamuratova, A Yusupov New fast method for reading charge bit stored in MNOSFET // International Journal of Applied Science - Research and Review, 2018, Volume: 5 DOI: 10.21767/2394-9988-C1-003
6. A. Abdikarimov1, Z A Atamuratova1 and A Yusupov2 Simulation study of short channel effects in low power FinFETs with different body shape and geometries // International Journal of Applied Science - Research and Review, 2018, Volume: 5 DOI: 10.21767/2394-9988-C1-003
7. Халиллоев М.M., Атамуратов А.Э. Зависимость DIBL эффекта от формы канального слоя в безпереходном МОП- транзисторе // Яримўтказгичлар физикасининг ва қайта тикланувчи энергия манбаларини ривожлантиришнинг замонавий муаммолари мавзусида Республика илмий-амалий анжумани.- Андижон. 20-21 апрель, 2018. - б.91-93.
8. М.М. Халиллоев, А.Э. Абдикаримов, З. Атамуратова, Б. Жабборова, А.Э. Атамуратов. Короткоканальные эффекты в безпереходном МОП-транзисторе с различным уровнем легирования и формой базы // Республиканской научно-практической конференции участием зарубежных ученых «Инновационные технологии в науке и образовании». – Нукус. 20-21 ноября, 2018. – С. 106-107.
9. Халиллоев М.М., Атамуратов А.Э. Влияние формы канального слоя в безпереходном МОП-транзисторе на крутизну подпороговой переходной характеристики // Муҳаммад ал-Хоразмий издошлари мавзусидаги Республика илмий-техникавий анжумани – Урганч. 27-28 апрель, 2018. – б.68-69
10. Халиллоев М.М., Атамуратов А.Э. Зависимость крутизны передаточной характеристики от боковых линейных размеров затвора и скрытого оксидного слоя в беспереходном МОП-транзисторе // Физика фанининг ривожида истеъдодли ёшларнинг ўрни РИАК-XI-2018 – Тошкент. 11-12 май, 2018 – б.25-26
11. Халиллоев М.М., Жаббарова Б.О., Атамуратов А.Э. Влияние формы канального слоя и бокового расширения затвора на пороговое напряжение в безпереходном МОП-транзисторе // Материалы международной конференции «Oптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковых микро- и наноструктурах». - Фергана. 25-26 мая, 2018.- C. 295-296
12. Матякубов Н.Ш., Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Собиров Р. Изучение характерных траектории рассеяных ионов с поверхностью InP(001) при бомбардировке ионами Ar+ и Ne+ // Яримўтказгичлар физикасининг ва қайта тикланувчи энергия манбаларини ривожлантиришнинг замонавий муаммолари мавзусида Республика илмий-амалий анжумани.- Андижон. 20-21 апрель, 2018. - Б.36.
13. Матякубов Н.Ш., Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Садуллаева Б. Закономерности рассеяния ионов с поверхностью InP(001) при малых углах скольжениях // Яримўтказгичлар физикасининг ва қайта тикланувчи энергия манбаларини ривожлантиришнинг замонавий муаммолари мавзусида Республика илмий-амалий анжумани.- Андижон. 20-21 апрель, 2018.- Б.39.
14. Каримов М.К., Кутлиев У.О., Oтабекова У.Э., Отабoева К.У. Энергетические распределения рассеянных ионов с поверхностью InP(001) // Седьмая Международная конференция по Физической Электронике IPEC-7. -Ташкент. 18-19 мая, 2018.- C.9.
15. Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Отабoева К.У. Малоугловое рассеяния ионов с поверхностью InP(001) // Седьмая Международная конференция по Физической Электронике IPEC-7. - Ташкент. 18-19 мая, 2018. - C.14.
16. Каримов М.К., Матякубов Н.Ш., Отабоев М.У., Кутлиев У.О. Исследования малоугловое рассеяния ионов с поверхностью InP(001)<110> и <ī10> // Материалы международной конференции «Oптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковых микро- и наноструктурах». - Фергана. 25-26 мая, 2018.- C. 208.
17. Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Отабоева К. Рассеяния ионов с дефектной поверхностью InP(001) при малых углах скольжениях // Яримўтказгичлар физикасининг ҳозирги замон муаммолари республика илмий анжумани.- Ташкент. 26-27 октябрь, 2018. – Б.58-59.
Kutliev U.O., Karimov M.K., Otaboeva K.U., Otaboev M.U. Investigation of defect structures of AIIIBV semiconductors by the ion scattering spectroscopy // Республиканской научно-практической конференции участием зарубежных ученых «Инновационные технологии в науке и образовании». – Нукус. 20-21 ноября, 2018. – С. 48.
